霍尔效应测试仪

No.Hall8800

霍尔效应测试仪：主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。
除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助

概述： HALL系列霍尔效应测试仪具有人性化的软件设计及模块化组件，性能卓越，操作方便；系统结合霍尔效应及van der pauw方法四点测量分析薄膜材料的电阻率，载流子浓度（N Type & P TYPE）及迁移率等相关参数信息，根据用户测试温度环境的不同，可分为常温/低温型及变温型，型号分别为：HALL8800常温(300K)及低温型(77K)、HALL8200高温变温(温度范围：室温至250°C)、HALL8686变温型(温度范围：77K-425K)、HALL8888变温型(温度范围：77K-773K)；　应用：主要针对于研究半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，在科学研究，教育以及产品测试等领域有着广泛应用；测试薄膜材料包括Si，Ge，sige,sic,gaas,ingaas,inp,gan,zno,graphene等各类半导体材料；技术参数： HALL8800-II常温及低温型霍尔效应测试仪 sample size:5mm x5mm----20mm x20mm 样品尺寸: 5mm x5mm -

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概述：

HALL系列霍尔效应测试仪具有人性化的软件设计及模块化组件，性能卓越，操作方便；系统结合霍尔效应及van der pauw方法四点测量分析薄膜材料的电阻率，载流子浓度（N Type & P TYPE）及迁移率等相关参数信息，根据用户测试温度环境的不同，可分为常温/低温型及变温型，型号分别为：HALL8800常温(300K)及低温型(77K)、HALL8200高温变温(温度范围：室温至250°C)、HALL8686变温型(温度范围：77K-425K)、HALL8888变温型(温度范围：77K-773K)；　

应用：

主要针对于研究半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，在科学研究，教育以及产品测试等领域有着广泛应用；测试薄膜材料包括Si，Ge，sige,sic,gaas,ingaas,inp,gan,zno,graphene等各类半导体材料；

技术参数：

HALL8800-II常温及低温型霍尔效应测试仪

sample size:5mm x5mm----20mm x20mm

样品尺寸: 5mm x5mm ---20mm x20mm

Sample thickness：~3mm

厚度：~3mm

根据样品尺寸特殊要求可客制化

Measurement Temperature: room temperature 、77K(option)

测试温度: 室温~300K (可以选配77K低温组件)

Measurement Material: Semiconductors material such as：Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)

测试材质:半导体类材质、如：Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)

Magnet Flux Density: 0.8Tesla

磁场强度: 0.8Tesla

Magbnet Stability: ±2% over 1 years

稳定性: ±2% （超过一年）

Uniformity: ± 1% over 30mm diameter from center

均匀度：± 1%(从中心点至30mm直径圆范围内)

Pole Gap: 20 mm

磁极间隙：20毫米

Output current:: 1nA~20mA

输出电流：1nA~20mA

Input voltage range: 1μV to 10V

输入电压范围：1μV ~10V

Resistivity (Ohm.cm): 10^-5 to 10⁷

电阻率 (Ω.㎝): 10^-5 to 10⁷

Mobility (cm²/Volt.sec): 1 ~ 10⁷

迁移率(cm²/Volt.sec): 1 ~ 10⁷

Carrier Density (cm^-3): 10⁷ ~ 10²¹

载流子浓度(1/cm^-3): 10⁷ ~ 10²¹

Dimensions(L/W/H): 390mm*360mm*120mm

尺寸：390mm*360mm*120mm

Weight:6.2kg

重量：6.2kg

霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。

Hall8800霍尔效应测试仪介绍

　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。

　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则

　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。

　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。

　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格，相信必能受到各界用户之肯定与爱用。

　　目前广泛应有于半导体厂商。

　　主要特点

　　1、高精密度电流源

　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。

　　2、高精密度电表

　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。

　　3、外型精简、操作简单

　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。

　　4、I-V曲线

　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。

　　5、单纯好用之操作画面

　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。

　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。

　　技术参数

　　磁场强度：0.65T/1T;

　　常温和液氮温度(77K)下测量;

　　输出电流：2nA-100mA;

　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107

　　阻抗:10-6 to 107

　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021

　　样品夹具：

　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；

　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)

　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm

　　仪器重量：6kg

现在购买Hall8800即可享有免费升级测试液氮温度区域的配置并加送99.999%纯度铟丝以供做电极使用
1 应用范围:研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数

2 规格:

2-1 Maximum sample size (Small board) - 15mm x15mm

最大样品尺寸:15mm x15mm (可定制)

2-3 Measurement Material: Semiconductors material such as

Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)

测试材质:半导体类材质、如：

Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)

2-1 Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107

电阻率 (Ω.㎝): 10-5 to 107

2-2 Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107

迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107

2-3 Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021

载流子浓度(1/cm3): 107 ~ 1021

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