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单光源太阳光模拟器  
单光源太阳光模拟器
单光源太阳光模拟器 以高压氙气灯为光源,用照度1SUN的光线照射测试样品,其光谱近似于地表接收到的太阳光谱(AM1.5G) 不仅限于研究、开发,亦适用于太阳能电池生产线的性能测试。
FastEQE 高速量子效率测试仪  
FastEQE 高速量子效率测试仪
Fast的测量速度,单次测量仅需要8秒钟,而传统的单色仪系统需要近8分钟才能完成相 同的测量。 节省时间 节省空间 节省工时 节省成本 测量太阳能电池量子效率的速度比其他任何系统快5900% 专为太阳能电池的制造研发而制造
少子寿命测试仪-WCT-120MX  
少子寿命测试仪-WCT-120MX
美国Sinton WCT-120少子寿命测试仪采用了准稳定态光电导(QSSPC)测量方法和分析技术。可灵敏地反映单、多晶硅片的重金属污染及陷阱效应、表面复合效应等缺陷情况。WCT在效率大于20%的超高效太阳能电池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研发和生产过程中是一种被广泛选用的检测工具。这种QSSPC测量少子寿命的方法可以在电池生产的中间任意阶段得到一个类似光照IV曲线的开压曲线,可以结合最后的IV曲线对电池制作过程进行数据监控和参数优化等工作。
TLM-SCAN+  Contact resistivity and sheet resistance  
TLM-SCAN+ Contact resistivity and sheet resistance
TLM-SCAN+ Contact resistivity and sheet resistance The contact resistance of the front metallization is an important contribution to the total series resistance of screen-printed solar cells. The transfer length method with a suitable test structure is
Hisomet 高精度三次元工具显微镜  
Hisomet 高精度三次元工具显微镜
Hisomet 高精度三次元工具显微镜 X、Y、Z三轴精密量测,Z轴量测精度可达±1μm光学非接触式,可避免破坏待测物。依客户需求,,搭配量测软体及其他配件。
Four-point-probe mapping with handling system  
Four-point-probe mapping with handling system
Four-point-probe mapping with handling system This off-line instrument is a sheet resistance mapper for the automatic measurement of a stack of more than 100 wafers. The handling time is around 10 seconds, the supported wafer size is between 70 x 70 mm a
接触电阻率和薄层电阻 TLM-SCAN  
接触电阻率和薄层电阻 TLM-SCAN
接触电阻率等等 TLM-SCAN 多功能太阳电池栅线接触电阻测试仪 这款紧凑型仪器测量成品太阳能电池的接触电阻率,手指线电阻,手指宽度和手指高度,或者测试结构。 通过在所有轴上电动化,可以通过按一个按钮来创建所有这些方法的地图。 用于测量薄扩散层的薄层电阻和晶圆电阻率的四点探头,使得TLM-SCAN +成为一种低成本,快速,高质量的四点探针贴图仪。
LBIC  
LBIC
LBIC 光谱分辨光束感应电流映射 LBIC映射不同波长
IQE-SCAN 光谱量子效率  
IQE-SCAN 光谱量子效率
IQE-SCAN 光谱量子效率和反射该工具专为自动IQE分析而设计 晶体硅太阳能电池
量子效率测试仪  
量子效率测试仪
量子效率测试仪 此工具专为IQE的自动IQE分析而设计 晶体硅太阳能电池。一些功能是: ·太阳能电池采用可变光照明,均匀地覆盖20 x 20 mm的区域, 或者聚焦点约为。 1 x 3mm²。 ·通过连续移动4平方厘米的照明区域进行全面的EQE和反射率测量。 ·来自单​​色器的280-1600 nm之间的单色光(2个光栅,狭缝宽度和有序滤光片自动改变)。通常使用的带宽为8 nm FWHM,波长精度为1 nm。
四探针 四点探针 四探针测试仪 四探针太阳能硅片电阻率测试仪  
四探针 四点探针 四探针测试仪 四探针太阳能硅片电阻率测试仪
这款紧凑型仪器在所有轴上均可自动化,可在不到4分钟内创建100点的薄层电阻和晶圆电阻率映射。 在点击地图后将探头导航到所需位置后,可以重新测量单点。