霍尔效应测试仪
霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。
Hall8800霍尔效应测试仪介绍
该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。
主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则
仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。
除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。
Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。
目前广泛应有于半导体厂商。
主要特点
1、高精密度电流源
输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。
2、高精密度电表
使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。
3、外型精简、操作简单
外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。
4、I-V曲线
采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。
5、单纯好用之操作画面
使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。
6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。
技术参数
磁场强度：0.65T/1T;
常温和液氮温度(77K)下测量;
输出电流：2nA-100mA;
迁移率(cm2/Volt-sec):1-107
阻抗:10-6 to 107
载流子浓度(cm-3):107 - 1021
样品夹具：
Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；
测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)
仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm
仪器重量：6kg
现在购买Hall8800即可享有免费升级测试液氮温度区域的配置并加送99.999%纯度铟丝以供做电极使用
1 应用范围:研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数
2 规 格:
2-1 Maximum sample size (Small board) - 15mm x15mm
最大样品尺寸:15mm x15mm (可定制)
2-3 Measurement Material: Semiconductors material such as
Si, SiGe, SiC,GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO (N Type & P Type)
测试材质:半导体类材质、如：
Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)
2-1 Resistivity (Ohm.cm): 10-5 to 107
电阻率 (Ω.㎝): 10-5 to 107
2-2 Mobility (cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
迁移率(cm2/Volt.sec): 1 ~ 107
2-3 Carrier Density (cm-3): 107 ~ 1021
载流子浓度(1/cm3): 107 ~ 1021
