晶体硅太阳能电池的表面金属欧姆接触的好坏通过接触电阻来反映。在太阳能电池电极优化中，接触电阻是需要考量的一个重要方面。接触电阻的大小不仅与接触的图形有关，还与扩散工艺及接触形成工艺有关。不同栅线图形的欧姆接触好坏可以通过接触电阻率的大小来反映。因此，通过对接触电阻率的研究计算可以反映扩散、电极制作和烧结等工艺中存在的问题。现有常用的晶体硅太阳能电池表面接触电阻率测量方法是传输线法(TLM)和CoreScan法，传输线法是首先在电池表面制作不同间距的栅线，然后测量恒流下相邻栅线的电压，再通过其它相关参数的测量和计算，最后根据公式推导得出电池表面接触电阻率。这种方法测量结果较为准确，不过测量过程比较繁琐，测量时间较长。而使用Core Scan法需要采用专门的测试仪器，该测试方法得到的接触电阻率不够准确，往往只能作相对比较之用，不能作为电池表面接触电阻率的真实值。另外，还有其它一些较少用的测量方法，如圆形传输线法，该种方法存在需要特别订制的网板并且不能对产线上的电池进行直接测量的缺点；除此之外，还有两点法、三点接触法及四点接触法等，这些方法所得到测量结果均不够准确。综上，由于以上各种测量方法存在测量时间长、效率低、精度差等缺陷，而又同时缺少一种专门测量太阳能电池接触电阻的测试设备，因此不利于太阳能电池接触电阻测量在产线上的应用。