少子寿命测试仪 WCT-120测试硅片

0.000 001 微秒 = 1皮秒 0.001 微秒 = 1纳秒 1,000 微秒 = 1毫秒 1,000,000 微秒 = 1秒 1s = 1000ms 1ms = 1000μs 1μs = 1000ns 1ns = 1000ps 1秒(s) = 1000 毫秒(ms) = 1,000,000 微秒(μs) = 1,000,000,000 纳秒(ns) = 1,000,000,000,000 皮秒(ps) =1000,000,000,000,000飞秒（fs)=1000,000,000,000,000,000渺秒（as)

询问价格：WCT-120（少子寿命测试仪），用于测试156×156硅片

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我有样品需要测试，请帮忙测试

少子寿命测试仪成功使用用户？

Spec.MCD是指测试少子寿命时的载流子注入水平，一般为最大载流子浓度的85%；9 g! O4 U! ]& f2 J9 p8 t' [ jsc为IV测试时的饱和电流密度，如果你用sunsvoc测试j01/j02时必须要有准确的jsc值；如果仅仅测试voc值，那就不需要jsc值。

既然是基于光电导，能否测量成品电池？

少子寿命测试仪,所测的"少子"在物理学上是什么定义?

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